Mô Tả Sản Phẩm
Thông số kỹ thuật:
Điện áp đánh thủng là 55V.
Điện áp VGS = +/-20V
Dòng chịu đựng trung bình là 110A.
Nhiệt độ hoạt động: -55oC ~ 175oC.
Công suất: 200W
Mosfet IRF3205 là mosfet kênh N hay mosfet ngược.
Mosfet IRF3205 là Transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) là một Transistor đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường. Mosfet thường có công suất lớn hơn rất nhiều so với BJT, Mosfet IRF3205 có công suất là 220W. Đối với tín hiệu 1 chiều thì nó coi như là 1 khóa đóng mở.
Mosfet IRF3205 có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợp cho khuyếch đại các nguồn tín hiệu yếu.
Mosfet IRF3205 thích hợp cho việc chuyển đổi DC sang AC hay DC. Thường ứng dụng trong UPS, inverter có biến thế thường.